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PIS-UHX：以150 W鹵素?zé)糁匦露x近紅外照明——日本Npinet的寬譜可調(diào)光源

發(fā)布時(shí)間： 2025-12-16　　點(diǎn)擊次數(shù)： 7次

　　一、技術(shù)背景

　　近紅外(NIR, 400-1700 nm)成像與光譜分析對(duì)光源提出“寬譜、穩(wěn)定、可定制”三大剛性需求。傳統(tǒng)鹵素?zé)綦m能提供連續(xù)光譜，卻常因散熱不足、電壓漂移和濾光片耦合困難，難以在半導(dǎo)體檢測(cè)、食品分選、生物成像等高速在線場(chǎng)景中長(zhǎng)期保持高信噪比。日本Npinet推出的PIS-UHX系列150 W鹵素光源，正是在這一痛點(diǎn)上給出了系統(tǒng)級(jí)解決方案。

　　二、核心光路設(shè)計(jì)

　　專(zhuān)用直流燈驅(qū)動(dòng)

　　采用15 V/150 W石英鹵素?zé)襞荩浜峡勺冸妷盒驼{(diào)光(2-15 V)，電壓穩(wěn)定度±0.1%，消除交流紋波帶來(lái)的1/f噪聲，延長(zhǎng)燈絲壽命。

　　模塊化濾光接口

　　主機(jī)標(biāo)配抽屜式濾光盒，可在不拆光纖的前提下快速更換帶通、截止或中性密度片，實(shí)現(xiàn)“一燈多用”。例如，硅片隱裂檢測(cè)只需插入800 nm帶通片，即可獲得高對(duì)比度圖像。

　　強(qiáng)制風(fēng)冷

　　2.7 kg緊湊機(jī)身(124×165×224 mm)內(nèi)置低噪聲風(fēng)扇，0-40 ℃環(huán)境溫度下保持燈殼表面<45 ℃，避免熱漂移導(dǎo)致的光譜偏移。

　　三、雙型號(hào)光譜策略

　　PIS-UHX-NIR：400-1100 nm，峰值800 nm，適用于硅基半導(dǎo)體、一般農(nóng)產(chǎn)品糖度成像。

　　PIS-UHX-AIR：400-1700 nm，峰值1000 nm，可覆蓋SWIR波段，滿(mǎn)足塑料分選、水分檢測(cè)、藝術(shù)品底層素描成像等需要“穿透+指紋”譜段的應(yīng)用。

　　四、應(yīng)用場(chǎng)景實(shí)例

　　半導(dǎo)體晶圓Micro-Crack檢測(cè)

　　在1100 nm處硅片呈半透明狀態(tài)，配合PIS-UHX-AIR與InGaAs相機(jī)，可檢出<5 μm隱裂，實(shí)現(xiàn)0.5 m/s在線速度。

　　水果成熟度分選線

　　使用850 nm與950 nm雙波長(zhǎng)切換，分別對(duì)應(yīng)糖與水的O-H倍頻吸收，2 ms切換時(shí)間保證不降低產(chǎn)線節(jié)拍，信噪比提升>25%。

　　塑料瓶坯PET vs PP分離

　　1650 nm處C-H組合頻差異顯著，配合高幀率SWIR相機(jī)，PIS-UHX-AIR輸出>100 mW cm?²，實(shí)現(xiàn)>99%識(shí)別準(zhǔn)確率。

　　五、系統(tǒng)級(jí)優(yōu)勢(shì)

　　• 輸入電壓85-264 V，功率因數(shù)>0.95，可直接部署于任意工廠配電環(huán)境。

　　• 光導(dǎo)前端實(shí)測(cè)輻照度穩(wěn)定，開(kāi)機(jī)30 min漂移<0.3%，滿(mǎn)足ASTM E1131對(duì)長(zhǎng)周期光譜一致性要求。

　　• 2.7 kg輕量化+側(cè)向散熱孔，支持24/7倒裝或機(jī)械臂末端集成，無(wú)需額外散熱模塊。

　　六、選型與部署建議

　　先根據(jù)被測(cè)物特征吸收峰確定波長(zhǎng)，再選NIR或AIR型號(hào)；若需>1100 nm，務(wù)必選擇AIR版本。

　　在線檢測(cè)建議加裝“IR強(qiáng)度反饋”選件，可實(shí)時(shí)補(bǔ)償燈老化或環(huán)境溫度變化。

　　若與光譜儀耦合，優(yōu)先使用抗紫外硫化石英光纖，減少短波熱漂移對(duì)長(zhǎng)波信號(hào)的串?dāng)_。

　　結(jié)語(yǔ)

　　從硅片隱裂到水果糖度，從塑料分選到藝術(shù)品診斷，PIS-UHX用一只150 W鹵素?zé)魧?shí)現(xiàn)了“寬譜-穩(wěn)定-可定制”的照明平臺(tái)化。對(duì)于工業(yè)4.0日益嚴(yán)苛的“高速、高精、高可靠”視覺(jué)需求，它不僅是光源，更是可嵌入生產(chǎn)線的近紅外光譜引擎。

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